BLF188XR 88-108MHz 1000W Planar FM Pallet

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5 disponibles


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BLF188XR 88-108MHz 1000W Planar FM Pallet

1000W de salida mínima de RF
24dB de ganancia de potencia
Densidad de alta potencia
Opera desde un suministro de 50V con más del 80% de eficiencia
Sesgo de temperatura compensada
Transistor LDMOS NXP BLF188XR LDMOS.
Potencia de entrada 5.0 vatios Típica.
Pérdida de retorno de entrada -12dB máximo.
Miembro más reciente de la popular familia XR de transistores de potencia de RF para los entornos de ingeniería más exigentes.

Eindhoven, Países Bajos y Seattle, Washington, 4 de junio de 2013: NXP Semiconductors NV (NASDAQ: NXPI) presentó hoy el BLF188XR, el miembro más nuevo de su familia XR de transistores de potencia LDMOS RF “extremadamente resistentes”. Diseñado para los entornos de ingeniería más difíciles, el BLF188XR ofrece una robustez mejorada en condiciones del mundo real, capaz de resistir un desajuste de carga grave con VSWR mayor de 65: 1 a 5 dB de compresión. El BLF188XR es capaz de proporcionar una potencia de salida máxima de 1600 W y puede funcionar hasta 60 V, y aún así pasar pruebas de resistencia extrema. Otras características clave incluyen una protección ESD integrada más fuerte que permite el uso del BLF188XR en un modo de operación Clase C, y varias mejoras que hacen que el dispositivo XR sea fácil de diseñar y sintonizar en múltiples aplicaciones.

Otra característica interesante del BLF188XR es su excelente linealidad, lo que lo convierte en un candidato muy interesante para aplicaciones lineales de alta potencia. El BLF188XR es ideal para aplicaciones industriales, científicas y médicas (ISM) a gran escala en rangos de frecuencia por debajo de 300 MHz, mientras que la popular serie BLF578XR se recomienda para rangos de frecuencia de hasta 500 MHz. NXP presentará el BLF188XR esta semana en el Simposio Internacional de Microondas IEEE MTT-S (IMS 2013), y un video de la demostración en vivo está disponible aquí: http://youtu.be/OSp54qHiS5E

“Nuestra familia ‘eXtremely Rugged’ ahora ofrece aún más robustez para funcionar con las cargas de RF más incómodas, superando fácilmente el rendimiento, la robustez y la confiabilidad de VDMOS utilizando la última tecnología LDMOS de alto voltaje de NXP”, dijo Mark Murphy, director de marketing, negocio de energía de RF línea, NXP Semiconductors. “Aprovechando el éxito del BLF578XR, el nuevo BLF188XR amplía nuestra cartera y brinda robustez, linealidad, potencia y simplicidad adicionales en el diseño. Y aprovechando nuestro historial comprobado como proveedor líder de energía de RF en los mercados de ISM, hemos podido diseñar el BLF188XR como una solución altamente convincente para una amplia gama de aplicaciones de baja frecuencia, como láseres, resonancia magnética, iluminación de RF y Secado de RF, así como transmisores de transmisión VHF / FM “.

SKU: P1000FM-188PLA Categoría: Etiqueta:

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